【供應】TN0200K-T1-E3
- 產品型號：TN0200K-T1-E3
- 生產廠家： Vishay Siliconix
- 產品規格：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商：查看供應商>>
美元參考價格
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3000pcs： $0.14880/pcs
- 向供應商詢價>>
6000pcs： $0.13920/pcs
15000pcs： $0.12960/pcs
30000pcs： $0.12240/pcs
75000pcs： $0.12000/pcs
150000pcs： $0.11520/pcs
詳細信息
標準包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平柵極，2.5V 驅動
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：730mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：400 毫歐 @ 600mA，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 50µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：2nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：350mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平柵極，2.5V 驅動
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：730mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：400 毫歐 @ 600mA，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 50µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：2nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：350mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）
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