詳細信息
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：二極管（隔離式）
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：2A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：180 毫歐 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：2.9nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：314pF @ 15V
功率 - 最大值：1W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-MLP
供應商器件封裝：8-MLP，MicroFET（3x2）
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：二極管（隔離式）
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：2A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：180 毫歐 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：2.9nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：314pF @ 15V
功率 - 最大值：1W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-MLP
供應商器件封裝：8-MLP，MicroFET（3x2）
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