2SJ358

2SJ352-E
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2SJ352-E參數：MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：1
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：200V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：8A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：-
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：800pF @ 10V
功率 - 最大值：100W
安裝類型：通孔
封裝：TO-3P-3，SC-65-3
供應商器件封裝：TO-3P