ALD114913SAL參數：MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8SOIC
類別：分立半導體產品-FET - 陣列標準包裝：50系列：EPAD® Depletion包裝：管件FET 類型：2 N 溝道（雙）配對FET 功能：耗盡模式漏源極電壓 (Vdss)：10.6V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：12mA， 3mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：500 歐姆 @ 2.7V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.26V @ 1µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2.5pF @ 5V功率 - 最大值：500mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝：8-SOIC
