APT29F100B2參數：MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：30系列：POWER MOS 8™包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：30A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：440 毫歐 @ 16A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：260nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：8500pF @ 25V功率 - 最大值：1040W安裝類型：通孔封裝：TO-247-3 變式供應商器件封裝：T-MAX? [B2]
