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BSC152N10NSF

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BSC152N10NSF 優勢庫存

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INFINEON

TDSON8

2023+

8350

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BSC152N10NSFGATMA1

Infineon Techn..

PG-TDSON-8-1

2023+

500

全新原裝進口現貨品質保證

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BSC152N10NSFG

infineon

PG-TDSON-8

2023+

51278

全新進口原裝現貨,保證質量

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BSC152N10NSFG

InfineonTechno..

2023+

2011

￥12508-PowerTDFN

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相關型號： BSC150N03LD G BSC130P03LS G BSC12DN20NS3 G BSC123N10LS G BSC123N08NS3 G BSC120N03MS G

BSC152N10NSF G
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BSC152N10NSF G參數：MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：5,000
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：100V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：63A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：15.2 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 72µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：29nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1900pF @ 50V
功率 - 最大值：114W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-PowerTDFN
供應商器件封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）

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