BSP603S2L參數：MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT-223
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：4,000系列：OptiMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：55V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：5.2A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：33 毫歐 @ 2.6A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 50µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：42nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1390pF @ 25V功率 - 最大值：1.8W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-261-4，TO-261AA供應商器件封裝：PG-SOT223-4
