BSR316P L6327參數：MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：3,000系列：SIPMOS®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：360mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.8 歐姆 @ 360mA，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 170µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：7nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：165pF @ 25V功率 - 最大值：500mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應商器件封裝：PG-SC-59
