BSS8402DW-7參數：MOSFET N+P 50,60V 130MA SC70-6
類別：分立半導體產品-FET - 陣列PCNDesign/Specification： GreenEncapsulateChange09/July/2007標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：N和P溝道FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：60V，50V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：115mA，130mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：7.5歐姆@50mA，5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-不同Vds時的輸入電容(Ciss)：50pF@25V功率-最大值：200mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供應商器件封裝：SOT-363
