CM200DY-12H參數：IGBT MOD DUAL 600V 200A H SER
類別：半導體模塊-IGBT標準包裝：2系列：IGBTMOD™IGBT 類型：-配置：半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.8V @ 15V，200A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：200A電流 - 集電極截止（最大值）：1mA不同?Vce 時的輸入電容 (Cies)：20nF @ 10V功率 - 最大值：780W輸入：標準NTC 熱敏電阻：無安裝類型：底座安裝封裝：模塊供應商器件封裝：模塊
