CSD86350Q5D參數：MOSFET N-CH 25V 40A 8SON
類別：分立半導體產品-FET - 陣列產品培訓模塊： NexFETMOSFETTechnology視頻文件： NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview特色產品： CSD86350Q5DSynchronousBuckNexFET?PowerBlockReferenceDesignLibrary： CSD86350Q5DEVM-604:1.2V@25A,8~13Vin標準包裝：2,500系列：NexFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：2個N通道（半橋）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：25V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：40A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：6毫歐@20A，8V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.1V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：10.7nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1870pF@12.5V功率-最大值：13W安裝類型：表面貼裝封裝：8-LDFN裸露焊盤供應商器件封裝：8-SON（5x6）
