EMB10T2R參數：TRANS DUAL PNP 50V 100MA EMT6
類別：分立半導體產品-晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式產品目錄繪圖： EMT-6PackageTop標準包裝：8,000系列：-包裝：帶卷(TR)晶體管類型：2個PNP預偏壓式（雙）電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA電壓-集射極擊穿（最大值）：50V電阻器-基底(R1)(Ω)：2.2k電阻器-發射極基底(R2)(Ω)：47k不同?Ic、Vce?時的DC電流增益(hFE)（最小值）：80@10mA，5V不同?Ib、Ic時的?Vce飽和值（最大值）：300mV@250µA，5mA電流-集電極截止（最大值）：500nA頻率-躍遷：250MHz功率-最大值：150mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-563，SOT-666供應商器件封裝：EMT6
