EMB3T2R參數：TRANS DUAL PNP 50V 100MA EMT6
類別：分立半導體產品-晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式標準包裝：8,000系列：-包裝：帶卷 (TR)晶體管類型：2 個 PNP 預偏壓式（雙）電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V電阻器 - 基底 (R1) (Ω)：4.7k電阻器 - 發射極基底 (R2) (Ω)：-不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 1mA，5V不同?Ib、Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）：300mV @ 2.5mA，5mA電流 - 集電極截止（最大值）：-頻率 - 躍遷：250MHz功率 - 最大值：150mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-563，SOT-666供應商器件封裝：EMT6
