FCD4N60TM參數：MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
類別：分立半導體產品-FET - 單PCNAssembly/Origin： WaferFabrication04/Feb/2013標準包裝：2,500系列：SuperFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：600V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：3.9A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.2歐姆@2A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：16.6nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：540pF@25V功率-最大值：50W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63供應商器件封裝：D-Pak