FDB12N50TM參數：MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
類別：分立半導體產品-FET - 單PCNAssembly/Origin： WaferFabrication04/Feb/2013標準包裝：800系列：UniFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：500V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：11.5A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：650毫歐@6A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：30nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1315pF@25V功率-最大值：165W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應商器件封裝：D²PAK