FDB5690參數：MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
類別：分立半導體產品-FET - 單PCNObsolescence： MultipleDevices03/Dec/2009標準包裝：800系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：32A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：27毫歐@16A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：33nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1120pF@25V功率-最大值：58W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應商器件封裝：TO-263AB
FAIRCTO-263(D2PAK)2023+6534全新原廠原裝現貨
