FDB8874參數：MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AB
類別：分立半導體產品-FET - 單PCNObsolescence： MultipleDevices03/Dec/2009標準包裝：800系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：121A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：4.7毫歐@40A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：72nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：3130pF@15V功率-最大值：110W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應商器件封裝：TO-263AB
FAIRCTO-263(D2PAK)2023+6534全新原廠原裝現貨
