FDC642P參數：MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6
類別：分立半導體產品-FET - 單產品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： FDC6x,NDC7003PDie11/May/2007 MoldCompound08/April/2008標準包裝：3,000系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平柵極，2.5V驅動漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：4A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：65毫歐@4A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：16nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：925pF@10V功率-最大值：800mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-23-6細型，TSOT-23-6供應商器件封裝：6-SSOT