FDC6561AN參數：MOSFET N-CHAN DUAL 30V SSOT6
類別：分立半導體產品-FET - 陣列產品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： MoldCompound08/April/2008標準包裝：3,000系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：2個N溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：2.5A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：95毫歐@2.5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：3.2nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：220pF@15V功率-最大值：700mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-23-6細型，TSOT-23-6供應商器件封裝：6-SSOT
