FDC658P參數：MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6
類別：分立半導體產品-FET - 單產品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： MoldCompound08/April/2008標準包裝：3,000系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：4A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：50毫歐@4A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：12nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：750pF@15V功率-最大值：800mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-23-6細型，TSOT-23-6供應商器件封裝：6-SSOT
