FDD2670參數:MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
類別:分立半導體產品-FET - 單產品培訓模塊: HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標準包裝:2,500系列:PowerTrench®包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標準漏源極電壓(Vdss):200V電流-連續漏極(Id)(25°C時):3.6A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):130毫歐@3.6A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):4.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):43nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):1228pF@100V功率-最大值:1.3W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-252-3,DPak(2引線+接片),SC-63供應商器件封裝:TO-252