FDD5612參數：MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK
類別：分立半導體產品-FET - 單產品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標準包裝：2,500系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：5.4A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：55毫歐@5.4A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：11nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：660pF@30V功率-最大值：1.6W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63供應商器件封裝：TO-252-3
