FDD6530A參數:MOSFET N-CH 20V 21A D-PAK
類別:分立半導體產品-FET - 單產品培訓模塊: HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標準包裝:2,500系列:PowerTrench®包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):20V電流-連續漏極(Id)(25°C時):21A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):32毫歐@8A,4.5V不同Id時的Vgs(th)(最大值):1.2V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):9nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss):710pF@10V功率-最大值:1.6W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-252-3,DPak(2引線+接片),SC-63供應商器件封裝:TO-252