FDFC3N108參數：MOSFET N-CH 20V 3A SSOT-6
類別：分立半導體產品-FET - 單PCNDesign/Specification： MoldCompound08/April/2008標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：二極管（隔離式）漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：3A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：70毫歐@3A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：4.9nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：355pF@10V功率-最大值：700mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-23-6細型，TSOT-23-6供應商器件封裝：6-SSOT
