FDFMA2P859T參數：MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：3,000系列：PowerTrench®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：二極管（隔離式）漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：3A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：120 毫歐 @ 3A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：6nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：435pF @ 10V功率 - 最大值：700mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-WDFN 裸露焊盤供應商器件封裝：6-MicroFET（2x5）
