FDFM2N111參數：MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP
類別：分立半導體產品-FET - 單產品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標準包裝：3,000系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：二極管（隔離式）漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：4A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：100毫歐@4A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：3.8nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：273pF@10V功率-最大值：800mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-MLP，Power33供應商器件封裝：MicroFET3x3mm
FSCQFN-62023+2756原裝現貨，價格優勢
