FDG6312N

FDG6313N
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FDG6313N參數：MOSFET N-CH DUAL 25V SC70-6

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007 MoldCompound07/May/2008
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：25V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：500mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：450毫歐@500mA，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：2.3nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：50pF@10V
功率-最大值：300mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商器件封裝：SC-70-6