FDG6318P參數：MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6
類別：分立半導體產品-FET - 陣列產品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007 MoldCompound07/May/2008標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：2個P溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：500mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：780毫歐@500mA，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：1.2nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：83pF@10V功率-最大值：300mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供應商器件封裝：SC-70-6
