FDJ129P參數：MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6
類別：分立半導體產品-FET - 單PCNDesign/Specification： MoldCompound27/March/2008標準包裝：3,000系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：4.2A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：70毫歐@4.2A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：6nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：780pF@10V功率-最大值：1.6W安裝類型：表面貼裝封裝：SC75-6FLMP供應商器件封裝：SC-75
