FDR8508P參數：MOSFET P-CH 30V 3A SSOT-8
類別：分立半導體產品-FET - 陣列標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 P 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：3A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：52 毫歐 @ 3A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：12nC @ 5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：750pF @ 15V功率 - 最大值：800mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-SSOT，SuperSOT-8供應商器件封裝：8-SSOT
