FDS3812參數：MOSFET N-CH 80V 3.4A 8SOIC
類別：分立半導體產品-FET - 陣列標準包裝：2,500系列：PowerTrench®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：80V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：3.4A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：74 毫歐 @ 3.4A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：18nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：634pF @ 40V功率 - 最大值：900mW安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝：8-SOIC N
