FDV303N參數：MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
類別：分立半導體產品-FET - 單產品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：25V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：680mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：450毫歐@500mA，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：2.3nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：50pF@10V功率-最大值：350mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應商器件封裝：SOT-23
