FGA40N65SMD參數：IGBT 650V 80A TO-3P
類別：分立半導體產品-IGBT - 單路PCNAssembly/Origin： WaferFabrication04/Feb/2013標準包裝：30系列：-包裝：管件IGBT類型：場截止電壓-集射極擊穿（最大值）：650V不同?Vge、Ic時的?Vce(on)：2.5V@15V，40A電流-集電極(Ic)（最大值）：80ACurrent-CollectorPulsed(Icm)：120A功率-最大值：349WSwitchingEnergy：1.08mJ輸入類型：標準GateCharge：119nCTd(on/off)A25°C：12ns/92nsTestCondition：400V,40A,6歐姆,15V反向恢復時間(trr)：42ns封裝：TO-3P-3，SC-65-3安裝類型：通孔供應商器件封裝：TO-3P
