FQB34N20TM_AM002參數:MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
類別:分立半導體產品-FET - 單產品培訓模塊: HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標準包裝:800系列:QFET™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標準漏源極電壓(Vdss):200V電流-連續漏極(Id)(25°C時):31A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):75毫歐@15.5A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):78nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):3100pF@25V功率-最大值:3.13W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-263-3,D²Pak(2引線+接片),TO-263AB供應商器件封裝:D²PAK