FQB5N60CTM參數：MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
類別：分立半導體產品-FET - 單PCNDesign/Specification： PassivationMaterial26/June/2007標準包裝：800系列：QFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：600V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：4.5A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：2.5歐姆@2.25A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：19nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：670pF@25V功率-最大值：3.13W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應商器件封裝：D2PAK
