FQD6N60CTM參數：MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
類別：分立半導體產品-FET - 單PCNDesign/Specification： PassivationMaterial26/June/2007標準包裝：2,500系列：QFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：600V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：4A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：2歐姆@2A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：20nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：810pF@25V功率-最大值：80W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63供應商器件封裝：D-Pak