FQI7N80TU參數：MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
類別：分立半導體產品-FET - 單產品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標準包裝：50系列：QFET™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：800V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：6.6A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.5歐姆@3.3A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：52nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1850pF@25V功率-最大值：3.13W安裝類型：通孔封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA供應商器件封裝：I2PAK
