FQT7N10LTF參數：MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
類別：分立半導體產品-FET - 單產品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標準包裝：4,000系列：QFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：1.7A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：350毫歐@850mA，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：6nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：290pF@25V功率-最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-261-4，TO-261AA供應商器件封裝：SOT-223-3
