HAT2279N-EL-E參數：MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：2,500系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：80V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：30A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：12.3 毫歐 @ 15A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：60nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3520pF @ 10V功率 - 最大值：25W安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm）供應商器件封裝：8-LFPAK-iV
