HSG1002VE-TL-E參數：IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4
類別：分立半導體產品-RF 晶體管 (BJT)標準包裝：10,000系列：-包裝：帶卷 (TR)晶體管類型：NPN電壓 - 集射極擊穿（最大值）：3.5V頻率 - 躍遷：38GHz噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）：0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz增益：8dB ~ 19.5dB功率 - 最大值：200mW不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 5mA，2V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：35mA安裝類型：表面貼裝封裝：4-SMD，鷗翼型供應商器件封裝：4-MFPAK
