IGD01N120H2參數：IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3
類別：分立半導體產品-IGBT - 單路標準包裝：2,500系列：-包裝：帶卷 (TR)IGBT 類型：-電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.8V @ 15V，1A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：3.2ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：3.5A功率 - 最大值：28WSwitching Energy：140µJ輸入類型：標準Gate Charge：8.6nCTd (on/off) A 25°C：13ns/370nsTest Condition：800V, 1A, 241 歐姆, 15V反向恢復時間 (trr)：-封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63安裝類型：表面貼裝供應商器件封裝：PG-TO252-3
