IRF3710ZSTRRPBF參數：MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
類別：分立半導體產品-FET - 單產品培訓模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)設計資源： IRF3710ZLPBFSaberModel IRF3710ZLPBFSpiceModel標準包裝：800系列：HEXFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：59A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：18毫歐@35A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：120nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2900pF@25V功率-最大值：160W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應商器件封裝：D2PAK
