IRF5210PBF參數：MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB
類別：分立半導體產品-FET - 單產品培訓模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)設計資源： IRF5210PBFSaberModel IRF5210PBFSpiceModel標準包裝：50系列：HEXFET®包裝：管件FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：40A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：60毫歐@24A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：180nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2700pF@25V功率-最大值：200W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應商器件封裝：TO-220AB
