IRF630NSPBF

IRF630NSPBF
PDF資料下載

IRF630NSPBF參數：MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品培訓模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
標準包裝：50
系列：HEXFET®
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：200V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：9.3A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：300毫歐@5.4A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：35nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：575pF@25V
功率-最大值：82W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝：D2PAK