IRF640LPBF參數：MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
類別：分立半導體產品-FET - 單產品目錄繪圖： IRFTO-262SeriesSide1 IRFTO-262SeriesSide2標準包裝：1,000系列：-包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：200V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：18A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：180毫歐@11A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：70nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1300pF@25V功率-最大值：130W安裝類型：通孔封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA供應商器件封裝：TO-262-3
