IXBT10N170參數：IGBT 1700V 20A 140W TO268
類別：分立半導體產品-IGBT - 單路標準包裝：30系列：BIMOSFET™包裝：管件IGBT 類型：-電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1700V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：3.8V @ 15V，10A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：20ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：40A功率 - 最大值：140WSwitching Energy：6mJ（關）輸入類型：標準Gate Charge：30nCTd (on/off) A 25°C：35ns/500nsTest Condition：-反向恢復時間 (trr)：360ns封裝：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA安裝類型：表面貼裝供應商器件封裝：TO-268
