IXBT12N300參數：IGBT 3000V 30A 160W TO268
類別：分立半導體產品-IGBT - 單路標準包裝：30系列：BIMOSFET™包裝：管件IGBT 類型：-電壓 - 集射極擊穿（最大值）：3000V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：3.2V @ 15V，12A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：30ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：100A功率 - 最大值：160WSwitching Energy：-輸入類型：標準Gate Charge：62nCTd (on/off) A 25°C：-Test Condition：-反向恢復時間 (trr)：1.4µs封裝：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA安裝類型：表面貼裝供應商器件封裝：TO-268
