IXBT2N250參數：IGBT 2500V 5A 32W TO268
類別：分立半導體產品-IGBT - 單路標準包裝：30系列：BIMOSFET™包裝：管件IGBT 類型：-電壓 - 集射極擊穿（最大值）：2500V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：3.5V @ 15V，2A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：5ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：13A功率 - 最大值：32WSwitching Energy：-輸入類型：標準Gate Charge：10.6nCTd (on/off) A 25°C：-Test Condition：-反向恢復時間 (trr)：920ns封裝：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA安裝類型：表面貼裝供應商器件封裝：TO-268
