IXBT42N170參數：IGBT 1700V 80A 360W TO268
類別：分立半導體產品-IGBT - 單路標準包裝：30系列：BIMOSFET™包裝：管件IGBT 類型：-電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1700V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.8V @ 15V，42A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：80ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：300A功率 - 最大值：360WSwitching Energy：-輸入類型：標準Gate Charge：188nCTd (on/off) A 25°C：-Test Condition：-反向恢復時間 (trr)：1.32µs封裝：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA安裝類型：表面貼裝供應商器件封裝：TO-268
