IXBX75N170參數：IGBT BIMOSFET 1700V 200A PLUS247
類別：分立半導體產品-IGBT - 單路標準包裝：30系列：BIMOSFET™包裝：管件IGBT 類型：-電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1700V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：3.1V @ 15V，75A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：200ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：580A功率 - 最大值：1040WSwitching Energy：-輸入類型：標準Gate Charge：350nCTd (on/off) A 25°C：-Test Condition：-反向恢復時間 (trr)：1.5µs封裝：TO-247-3安裝類型：通孔供應商器件封裝：*
